報告題目：金剛石半導(dǎo)體的發(fā)展與應(yīng)用

報 告 人：王宏興 教授

報告時間：2014日11月14日（星期五）下午2:30

報告地點：理學(xué)院學(xué)術(shù)報告廳（實訓(xùn)樓B-522）

參加人員：理學(xué)院研究生及教師，歡迎其他學(xué)院師生參加！

有關(guān)要求：參加人員提前10分鐘到場，并關(guān)閉手機(jī)或設(shè)置為靜音狀態(tài)。

研究生院 理學(xué)院

2014年11月11日

報告人簡介：

王宏興，西安交通大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究中心主任。2001年獲日本德島大學(xué)大學(xué)院物質(zhì)工學(xué)專攻博士學(xué)位；1999年至2003年任日本Nitride Semiconductors Co. Ltd 公司研究員；2003至2004年任日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)高級研究員；2004年至2008年任日本Dialight Japan Co. Ltd公司高級研究員、執(zhí)行董事；2008年至2012年在日本Seki Technotron Corp. 金剛石CVD裝置部工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人；2008至今任日本高知Kochi FEL Co. Ltd公司技術(shù)顧問；2009至今任日本Napra Corp.公司首席顧問。

在日本期間作為高級研究員，團(tuán)隊負(fù)責(zé)人，技術(shù)顧問先后參加和主持了日本通產(chǎn)省，日本學(xué)術(shù)振興機(jī)構(gòu)以及日本有關(guān)大型公司的重大科研項目和產(chǎn)學(xué)研結(jié)合項目?；貒笾鞒挚萍疾俊?63計劃”等重大項目。在III-V族半導(dǎo)體薄膜外延生長及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質(zhì)量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發(fā)射陰極、場致發(fā)射光源及其他場致發(fā)射電子器件，MOCVD設(shè)計開發(fā)、 特殊直流CVD設(shè)計開發(fā)、微波等離子體CVD的設(shè)計開發(fā)等領(lǐng)域做出了許多創(chuàng)新性工作。發(fā)表文章50余篇，申請日本、美國專利80余項。曾獲得電子工業(yè)部科技進(jìn)步二等獎，國家科技進(jìn)步三等獎。